La diffusion réactive est utilisée en microélectronique pour former des contacts dans des transistors de quelques dizaines de nanomètres. Les contacts sont formés par réaction à l’état solide entre un film de métal d’une dizaine de nanomètres et le substrat semiconducteur. Ces réactions sont généralement caractérisées par une formation séquentielle de certaines phases qui peuvent être métastables alors que, dans les couples de diffusion massifs, on observe généralement la formation simultanée de toutes les phases d’équilibre.

Dans ce webinaire animé par Dominique Mangelinck (Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence, Université Aix Marseille), quelques concepts permettant d’expliquer en partie ces différences entre couches minces et couples de diffusion sont présentés. En particulier, les notions (i) d’équilibre cinétique et de compétition cinétique, (ii) de formation contrôlée par la diffusion et l’interface ainsi que (iii) de germination / croissance latérale sont abordées.